存储芯片涨价势头进一步扩张。

TrendForce最新研究显示，四季度手机DRAM（Mobile DRAM）合约价季度涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash中，eMMC、UFS四季度合约价涨幅约10~15%。由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。

而在此之前，TrendForce调查后给出的预期为：DRAM合约价预计第四季度涨幅3-8%；NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。

如今季度涨幅为何扩大？主要有几方面原因：

其中供应方面，随着三星扩大减产、美光释出逾20%涨幅等举动，都在持续为行业涨价奠定信心基础。需求端而言，一方面传统旺季带动Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）需求上升，另一方面华为Mate 60系列等也持续刺激中国智能手机品牌扩大生产目标，导致短时间需求涌入，进一步推动四季度合约价上涨。

从行业周期角度来说，中信证券研报也指出，随着海外大厂控制稼动率，存储供需逐渐改善，三季度起主流存储价格持续回暖，预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

至于存储行业价格涨势能延续多久？

日前存储模组厂商透露，虽然市场消费需求欲振乏力，但受惠近期存储价格上涨，渠道端库存达健康水位，即使短期需求并未明显复苏，但预期上游原厂将延续积极减产策略，使终端增加备货的意愿加强，以确保未来供货稳定。由于渠道端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此渠道商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现，延续至2024年春节。

TrendForce也给出了类似的乐观预期，其认为存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨，涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。

不过在10月24日，存储厂商旺宏给出的态度却颇为谨慎。该公司表示，客户库存去化慢于预期，且随客户出货高峰已过，四季度营收将环比下滑，预计明年情况与今年相近。由于客户端需求仍疲弱，旺宏资本支出已趋保守，原预估今年资本支出约90亿新台币，将下修至不超过80亿新台币，明年资本支出也将低于今年。

本文来自微信公众号“科创板日报”（ID:chinastarmarket），作者：郑远方