第三代半导体其实主要以三五族的为主。
第一代就是我们说的硅，是比较成熟的；
第二代主要是以氮化镓和InP，我之前也从事了很多年砷化镓和银铃的工作；
第三代主要是基于大功率应用、高压、高射频应用的，比如像氮化镓和碳化硅的产品。
先讲一下氮化镓，其实氮化镓早期也用了很多年，主要用在蓝宝石上面外延LED，做发光的那一个光源；更多的像氮化镓这种，因为更多是高频、大功率上面，原来是用在军用的射频里面。
大概在七八年前，通讯市场氮化镓其实慢慢开始就进入了一个民用的市场，因为在高频端它能提供很大的功率，所以后面慢慢用在基站里面射频的功放，PA。大概七八年前国内有部分的通讯企业在这块替代部分的像氮化镓的PA或者LDMOS的PA，用于基站里面。现在慢慢到了5G以后，氮化镓非常适合做PA的选用。
所以未来在5G的通讯基站里面，氮化镓是一个非常好的选项，因为可以做到能量密度很高，这样就可以把它的体积做的比较小，漏电比较低，在某种程度上功耗方面，硅基的LDMOS大概10%到15%的降低，所以整个的基站端小型化和节省上面有很大的帮助。
尤其后面5G基站往毫米窝转了以后，频率更高，到20G—30G这个频率，氮化镓是唯一选项了。因为像砷化镓在那个程度上面，基本上没办法在高频上面冲刺维持一个比较好的功率。所以它现在目前主要的一个应用场景就是在基站端的功放上面。
氮化镓有两种体系
一种是碳化硅上面长氮化镓的材料，这个刚刚说的我们主要应用在基站端的射频放大这一块。
还有基于做消费电子，其实现在已经有了在手机的快充里面，比如像小米，还有第三方的一些专门做这一块的，他们在推，但是那个是基于硅基的，外延氮化镓。大功率的快充，这样把体积做得更小一点，这样会便于携带。
所以，现在目前氮化镓在民用市场主要是这两块，应该未来这几年有20%增长的速度往上走。
另外一块就是碳化硅，碳化硅有两个大的市场在用。
首先，其实就刚刚说的碳化硅，因为它的衬底用了氮化镓，用在工业的基站射频里面，其实衬底是碳化硅，外面再外延氮化镓。
另外，纯的碳化硅的，比如像它的二极管或者它的mos管，更多的是用在电力电子里面。碳化硅这个材料特别耐高压，导热系数特别高，高压的场景，同时，因为它的耐高压，所以就是它的整个漏电又很低。
其一，碳化硅在光伏里面取代一部分IGBT，IGBT的一些高压，尤其是高频的一些高压特性上面，并不如碳化硅，成本不是特别明显的情况下，是有一个潜力在部分的市场上做碳化硅的逐步替代。
其二，在特高压的传送，还是这里面做逆变器的控制开关，做直流转交流这块，因为它的高压特性特别好可以在这一块实现很好的特性的取代。
其三，现在最热门的一块，其实还是在新能源车里面，因为这个量未来会很大，其实它有两大块作用，一块其实还是在新能源车里面部分的去替代一部分IGBT，用来做高速的开关控制它的直流往交流转的开关，这是一块很重要的应用，在特斯拉的高端车型里也在用。第二块是超充，特斯拉的超充站里面高压的一些开关，其实已经开始起用了碳化硅基的这个。好处是相对于传统的比如IGBT来讲，首先，它的耐高压能力特别强，所以它的转换的效率相对而言，大概能提升15%左右；其次就是因为它的电压比较低。所以有一些专业的分析评论下来，新能源车里面，如果从传统的IGBT这种方案转到碳化硅基的这种高压开关来看，有效的提升能源利用效率大概提升10%到15%，在电池一定的情况下，可以把你的续航里程提升10%左右，对于长续航里程的高端车型应该是有很好的一个作用。
另外一块就是它还有一些mos管的开关用在整个新能源车里面，整个电路里面，比如超过100伏或者200伏以上的高压部分做一些替代，这样把体积做得更小，这样把整个系统做一个小型化，这是两个东西的一个应用市场。
其实现在的应用，氮化镓会早一些，目前其实它最大的一个应用市场是在工业里面。基站射频端，从它的利用率来看有五六年的历史了，之前规模并不是很大，占比大概在15%左右。后面中长期来看，基本上占这个市场50%以上的市场份额。在快充里面的应用还处于一个刚开始的状态，因为推出来也就是在过去的两年时间。
在碳化硅这块，真正的就是在进入这种大量的民用市场，应该也就是在这两年的一个情况。
从整个供应链体系来看，其实这一块主要核心还是掌握在美国、日本、欧洲的一部分供应商为主。
像氮化镓这一块，全球现在做的最好的，目前在，先说在基站射频端是以日本的住友为主。其它的就像有，实际上像CREE，比如原来做的射频端的CREE，还有英飞凌。国内像三安，比如像原来中电的五十五所，他们在这一块已经有部分的产品已经开始量产。消费端这一块，更多的是体现在一些初创的一些公司，基于这种消费市场，它在做。
碳化硅其实属于一个头部聚集比较严重的状态下，因为碳化硅里面最最核心的东西是碳化硅晶圆的一个制造。因为这个晶圆制造相对于传统的，不管是硅基的还是砷化镓的，有很大的差异，差异最大的就是外延的温度非常高，基本超过了两千度以上。传统的硅大概在1200度到1400度，它基本是它的一倍，温度特别高。第二个就是它的长晶的速度特别慢，长到2到5厘米基本需要一周的时间，生长速度非常非常慢。导致一个最大的问题就是这里面对于你的工艺的控制要求非常非常高，目前业界在这一块，像美国的CREE应该是垄断了市场，整个碳化硅做成器件以后60%到70%的技术决定于你的衬底做的好不好。
衬底这一块CREE应该垄断了这个市场50%，而且它现在还在大规模的扩产，未来它可能在这个市场衬底的垄断上达到60%到70%的情况出现。它在这个行业投入超过了20年到30年的时间，日本还有一些企业，比如像日本的住友、罗姆，可能在衬底这一块还是有一定的话语权，美国还有一家叫二六，占了10%到15%的市场，基本上美国垄断，日本有一部分的情况下。国内也有，国内有项天科合达、山东天岳，基本上他们的市场占有率也就两个点到三个点，所以衬底这一块，其实难度最大。现在目前，总体来说以美国为主，日本为辅。
在器件端，通过衬底买的衬底以后做一些mos管或者做一些二极管的加工，做成器件这一块，也是以美国、日本和欧洲为主，像美国就是刚刚提到的CREE、然后日本的就是以刚刚说的住友、罗姆，他们其实做成成品；欧洲主要是以英非凌、ST为核心，来做。国内基本就是以中电旗下的，还有三安，他们有一些能力。到后面后端器件上，像华润微，斯达他们也进了，但是基本上处于刚刚开始进入领域的一个角色，所以综合来看，这一块未来的增长很快。后端的器件这块相对而言，在难度和门槛上面没有那么大。
这个难度大不大，其实还是决定在于你后面应用场景，比如你从上百伏到千伏，甚至几千伏的应用场景，那个难度就大了，包括外延，因为带衬底上还做外延、碳化硅，用来去做你的器件，这块难度可能会提升起来，英飞凌为核心，另外像ST，住友、罗姆做的还不错。
Q：碳化硅的成本和IGBT的成本大概有多大的一个差异呢？
A：现在至少有可能3到5倍的差异，确实很贵，这就是为什么注定了在高端的车型里面会考虑用这个器件。基于碳化硅的去取代IGBT的大概可能都是超过了一千多美金一个车。目前比较确定的是在高端车型，比如续航要超过500公里，我们也跟一些人聊过，500公里以上的，这个还是有价值。500公里以上说白了你的电池占比会很大，电池是很多新能源车最核心的成本占比，如果我用了这个能给你提升10%到15%的续航里程，其实可以等效，你的电池部分我可以少用一些，这样成本上面可能能有一个平衡。
在基于硅基的IGBT和碳化硅车上，从中长期看，它们都会共存，这个就取决于不同的细分市场它的选择了。
Q：国内的这些碳化硅的厂商，不管是从衬底端的甚至更上游的设备端的，衬底再到外延再到器件摸索，甚至后面模组，还有一个衬底，他们是一个什么样的水平？
A：首先就是从衬底，因为衬底国内主要是集中在四寸为主，慢慢现在大家都往六寸走，国内是以六寸为主，CREE他们是往八寸走。综合来看，国内的天科合达应该在全球衬底上面可能排第五还是第六，它应该在市场占有率有3个点，应该不到5个点。
这个行业垄断性非常强，它只占了不到5个点，但是它在行业里能排第五或者第六。
其实第一就是科瑞CREE，第二就是二六，第三就是日本的两三家企业，基本上是这样。最大的限制瓶颈其实在衬底，衬底工艺是最大的瓶颈，长一个3厘米的碳化硅棒子出来，需要一个礼拜，基本上大概一个长晶炉，一个一年以百为单位的片子，大概可能就是几百片的单位，其实并不是很多。所以它需要大规模的扩产，扩产了其实就是要很多的投入。
另外就是长的晶体好不好，一个长两三厘米的需要一个礼拜的时间，是个盲区。最后很多东西是凭借着经验的东西，说白了就是经验的积累，然后在一个黑盒里面去操作这种情况下，所以在衬底端，我个人觉得，这个差距还是会比较大，因为毕竟国内加起来不到5个点。
看美国可能达到了60%到70%的衬底供应链，未来的整个的扩产来看，其实还是以他们为核心，所以在这一块，就是说从供应能力上以及技术突破上我觉得差距还是蛮大的。在这一块。因为CREE大概八几年就研究这玩意儿了，在军用上面用。所以国内最早的天科合达，也就十年前，因为他们原来技术依托于中科院物理所。哈勃投的天岳，山东大学里面的技术，其实都是依托于科研院所里面孵化出来的一个东西。其实从院所里面出来形成一个产品化，需要一个过程。
而且这个东西本身，它需要严格的依赖于经验，因为那个设备其实我们之前聊过，就觉得，设备不是最难的。设备不是特别复杂。但是就是它对设备的控制经验、操作经验、工艺经验要求非常高，这个其实很多时候是一个人的因素在里面，这块需要中长期持续投入，才能够得到一个比较好的结果的。
第二块就是说，从衬底再往器件这端走，更多的是制造工艺，包括外延，再去找碳化硅来做一些如果做漏极这些，但是来说，难度有，没有像这么大，就是短期内你需要去投入以后，是有机会去做一些突破的。你看现在三光电其实已经部分的产品上面已经开始量产，而且已经开始出货了，这个其实他们投入也不是特别久，他们应该原来是收购了一家欧洲的公司，后来把这个技术慢慢转入国内，也就五六年的时间。华润微也开始投这个工艺，我看他们也要做6寸的产线。
封装这一块，因为实话讲，毕竟管子不是特别复杂，要么就是一个二极管，要么一个MOS管，难度没有那么大，封装这块是短期内一两年可以有实质性的突破的，所以我们也看到很多企业在这部分投入。
在器件端，从芯片制造端应该会有，因为这个设备其实不是要求特别高，更多的可能就是在一些关键工艺上面的控制。它这个工艺跟传统的工艺最大的差异就是所有的工艺都涉及到很高的温度，比如刻蚀、离子投入、CVD，都涉及到含碳在里面。碳含量比较高的，温度，还包括退火，温度都相当于正常的高过几百度以上，对设备的改造工艺的摸索这一块可能需要做一个。
在海外来看，其实在这块布局的都是传统的功率器件的大厂，所以在传统功率器件我们本身又有一些比较大的差距，国内这些其实你看在传统功率器件上面相对而言，比欧洲为主的来看还是有一定的差距。所以我觉得车载，因为车载规级要求比较高，可能稍微慢一点。现在先从一些低压的部分器件，一些mos管、二极管进入，慢慢转入核心的器件导入进来。另外从电力电子里面慢慢地突破，随着经验的积累以后，慢慢做到车里面去。但是我觉得从周边的领域去突破，短期是在器件端是有机会的。
Q：周边的领域像哪些领域？充电桩？光伏？
A：首先电力电子里面分了特高压和普通的，就是普通的是有机会能做的。包括三安现在是在电力行业也有一个突破了。第二个就是快充里面，承担部分的mos管是可以做得到的，因为本身对它的性能指标有要求，但是要求不会那么高。但是，它是里面的主要的IGBT这些东西，我觉得不见得能替代，因为那个电压太高了，因为周边还有一些二极管和mos管，另外从车里面，碳化硅不仅仅是有一个替代IGBT的，其实它周边还会有很多的一些管子，比如省电怎么省？效率高，IGBT的mos其实它周边有一些二极管，因为碳化硅它的漏电很低，高压上面的漏电比传统的硅的低很多，所以它可以很好的提高它的能源利用效力，所以在这一块，主要的这个主芯片以外的功率线以外的，未来两三年有一些机会能突破。
此外，包括还有一些像一些工控里面，慢慢中高端的可能，可以考虑，因为提供这种碳化硅的把传统的一些功率器件做一个替换。随着国内的技术成熟把成本做下来就好。
Q：第三代半导体里还有氮化镓，射频端我们刚才讲到的5G基站这块，目前的PA主要是氮化镓为主的还是以LDMOS为主的，还是未来这个技术路线会发生一些变更吗？它的价值链怎么样？
A：首先氮化镓刚开始主要是以华为在用为核心，华为大概五六年前就开始用这个东西做器件，这个好处一样就是体积变小，效率会更好。随着你的无线射频端，是逐渐往高频往上走，高端以后，传统的mos，或者PA满足不了大功率的放大的效果。其它的不管是诺亚压、爱立信，使用率非常低，低的原因整个供应上面并不是很大。
但是从综合来看，未来，也不是说氮化镓能取代所有的。原因在于：氮化镓本身还是很贵，并不是所有的基站里面会用。第二，基站分很多种，宏站、小站甚至一些皮基站，主要应用是在宏站里面，因为宏站是放在室外的这种，因为64T64R的这种，因为要覆盖比较大的区域内，所以需要足够高的功率形成一个强大的发射信号，所以这个是有强大的需求，这个需求也是所有的氮化镓的一个需求。
另外一大块还有很多小站，今年的整个建设小站会占大头。去年宏站占大头，去年宏站应该建设了有70万站到80万站左右。但今年宏站的量可能就30万站左右，其它的可能大概有60—70万站小站。小站尤其中国移动他们搞的700兆的频谱，首先700兆频谱频率就比较低，只有700兆。这个其实是不需要氮化镓这种高频器件就可以了，其实用LDMOS就可以。而且长期来看，还有室内的，虽然说即使你可能是3.5G什么的，但其实像LDMOS的还是可以用的。
从中长期来看，氮化镓可能能占这个市场接近50%的一个份额，LDmos可能还会有20%或者20%多的份额，砷化镓还有20%多的市场份额，综合来看是这样一个平衡。至于你刚刚提到氮化镓的市场容量空间来看，你看从原来4G的宏站，现在5G，去年主要是以64T64R为主。64个发射每一个发射通道需要一个PA，也就是说，一个AAU设备上面从原来的4G基站更新。国内的宏站大概有400多万到500万站，未来长期来看，应该会全部会进行5G的更换，而且未来的宏站密度肯定还会加密。因为本身到了这个3.5G这个频谱以后，它的覆盖范围肯定是不如原来4G一个频谱的有效覆盖，所以本身它的密度可能还会。在现有阶段可能还会提升一些，具体提升多少现在不好说。因为中国移动想大量启用700兆频率把现有的盲区进行覆盖，它一个宏站里面的射频单元4个发射，现在变成以64T为主，增量也是16倍，16倍的一个增长。所以说它的整个空间，从直观上，我就是一对一做一个替换，市场空间它就会有一个16倍的需求，氮化镓在宏站里面可能占70%以上，然后16倍乘以70%，这是它的新的增量。市场占有率大概10%到15%左右，提升到70%多，也就是50%的空间，大概就是刚刚提到，比如500万站，乘以16倍，然后，因为它在站里面，原来的价格是16倍，完了大概会有50%的一个市场空间，就是整个500万里面的50%的空间，这就是它的，现在像目前每一个PA的价格可能都大概在十几美金的价格。所以综合来看，应该是有个一二十亿美金的市场空间，肯定是有的，原来可能大概就几亿，两三亿美金的一个空间，所以，还是有好几倍的空间的。
Q：所以就是从半导体来讲，不管是氮化镓还是碳化硅，不管是射频端还是电力电子端都是有非常大的成长空间的。
A：对，主要是基数现在不是特别大，又赶是了一个大的市场应用，在这里面又是很关键的一个角色，确实是具备不可替代的特性在这里面，所以它的不可或缺性就比较强，但是这个更多的还是针对的是一些特定的细分领域里面的一个，必不可选的一个方案。
Q：我们第三代半导体跟前面的第一代和第二代相比，有没有弯道超车可能性，就是我们的这个差距，跟硅基来比，第三代半导体的差距变大了还是变小了？
A：超车我觉得现在还早，谈论这个东西不好。刚刚这些主力还是以美国的、日本的或者欧洲的企业为核心，在用，所以我觉得超车这个事情现在谈还太早，因为毕竟你自己还像个婴儿一样，刚刚开始学会走路，还没有到青少年的状态，他们可能现在只是一个青少年的状态。
相对于第一代来讲，其实它后面的发展空间没有那么大了，甚至说发展速度慢下来了，比如他们可能已经是四十多岁、五十多岁成熟的人，我们现在还是二十多岁的人，现在跟他的差距确实很大，他各方面都已经成熟了。
第三代这个东西是细分领域非常重要的一个不可或缺的技术，但是，确实在整个全球市场的应用来讲，它还刚刚开始走步，并没有走远，所以我们根本他们的差距没有多大。我们就是一个小学生，他们是一个十五六岁，待成年的这个，这个市场都有待增加，大家都在往前走。我们有机会跟他拉近差距，至于后面能不能超进来，不好说。说白了在这一块因为市场刚刚起来，客户这边其实也有很多的一些新的客户应用在这里摆着，我们的产品可能相对他们虽然落后，但是落后也就两三年的时间。在这个地方我们跟它的差距没有像硅基那么大，因为硅基是一个非常复杂的系统了，人家已经是个很成熟体。
CREE号称是说要把它现在的产能大概从，现在大概一年不到七八万片，大概五年提升到一百万片，你想它的提升空间。其实它要提升这么大，也要面临很多的挑战，也就是说这个领域，其实现在，虽然已经开始有产品在出了，但是其实刚刚这个规模还是几亿，后面还是有五六位，这个东西没有固定下来，很多东西头部的企业需要去摸索和探讨的过程。
CREE现在用的外延用的PVD的，其实这种大概率后面会被替代掉，因为效率太差，但是现在市场90%是用这种方案来做。可能后面也会采用二代这种MOCVD这种方式，或者CVD这种方式，因为这种方式才是最有效的方式，但是现在的市场使用率5%都不到，但是能不能搞定？大家都在尝试。
也就是这个时候，我们是有机会或者有希望去，在这一块能够赶上业界的头部企业，但是能不能做得到，其实还是需要在看了。我觉得至少有机会，可以这么说。
所以，弯道超车我觉得这个事情现在讨论为时过早，毕竟，其实你都还没有真正的进入到这个，相当于你没有进入主航道，你现在还第一只脚迈进去，别人也是刚刚进入这个主航道，但是这个差距也没有那么大，是存在机会的。
还有一个很核心的问题就在于，第一代，因为整个供应链体系都非常成熟，他要卡你很容易；第二代很多的技术，这些外延的技术这些东西，比如像CREE、像二六，他们都是美国公司，但是这个设备基本都是德国有，德国爱思强，像日本的东电，这些都有，所以设备端应该不用怎么限制了，所以在这一块不会有特别大的卡脖子的现象出来。更多的是需要经验的积累，人的积累。
Q：您讲到碳化硅设备这个不是特别难，是不是意味着我们国内的这些设备厂商还有机会去突破碳化硅的设备的？
A：其实，肯定是有，这个应该可以这么说，这个行业有一个比较大的区别在哪呢？前面讲，设备其实不是特别复杂，它就是一个，大概就长硅就长两三厘米厚，CREE比较牛，它能长到8个厘米，这是业界做到的极限了，其他的做的好的5，厚度越厚证明你的能力越强。
这些设备厂家单纯来做，它很难，因为它这个碳化硅的材料特性，相当于它要去深度研究，我觉得也没有深度研究过，像CREE它怎么那么好，其实它不产设备，但是有设备定制的话语权的。像国内天科合达，他们其实也在推设备的方案，它跟别人合作，比如国内的设备厂去合作，推一个工艺出来，最后一定是工艺跟设备强绑。现在买硅的设备或者什么，都会有一个reference recipe给你。其实这个也需要的，长一个玩意儿，一个礼拜，这里面发生什么谁也不知道，那这个东西怎么去保证，这个黑盒里面东西怎么可控。其实这很多东西是在，而且长出来的东西到底行不行，是由做衬底的人他才能比较强的知道这个，所以这一块设备的简单说，这个设备你看这个结构不复杂或者什么玩意儿，就是可能温度会非常高，两千多度，对不对？是这样，需要你的温度很稳定，气流也很稳定什么乱七八糟的，但是怎么去控制，其实一些工艺参数也很重要，所以最后，在这一块的设备就是，从目前看到的情况来看，应该是这衬底+设备两者去做深度合作，是一个比较好的炉子。
Q：国内做IGBT的模块的这种，像斯达这种他们也有机会做碳化硅这样的模块，他们在碳化硅的模块领域重复IGBT的领域的可能性大吗？
A：我觉得有机会，为啥？首先它对应用场景很了解，其实真正做模块的人，我觉得他最核心的能力在于他对产品要理解，产品理解怎么理解？这个产品用在哪里，用什么样的规格？有什么样的要求？这个点决定了你做模块的时候，你到底要走多少弯路的核心在这里。
如果买到芯片，包括思达，原来的IGBT也是有一部分去买的，现在有一部分自己也在做。就是说他只要对这个行业很了解，他有机会了解客户的诉求以后。然后它能买到合适的芯片，它是做组建模块是相对而言比其它人有优势的。所以从这个路径来看，首先他对这个行业最熟，客户的需求规格也是最熟悉的，所以相对国内的市场来看，它应该是最有机会能做进这个市场的。它只要能买到这个芯片，在一些关键的模块技术上能取得突破，我觉得应该是，相对于其它人来讲，是有更大的机会。比如三安光电，它做这个模块，因为它毕竟做晶圆出身的，而且一部分做代工出身，它做这个模块，模块再大规模的卖，从模块端的客户肯定比斯达这些，包括像比亚迪，包括中车来讲要更长的。
Q：怎么评价国内的像三安还有露笑、还有天科合达，他们在衬底的水平和目前的量产能力？
A：有一些了解，有一些不是特别了解。刚才讲了天科合达应该是国内做衬底能力最强的，它成立的是比较早的，另外它依托的是中科院物理所。他们在这块的，因为国内那么绝对是老大，它在全球，前面说了，大概是第五还是第六记不住了，但是它的占比也就三个点还是几个点。衬底又是最难的东西，这块肯定它在国内是比较强的。
露笑那边的实话讲不是特别了解。
三安那边开始做器件出身，也就是它的衬底是买的，买了衬底以后，它开始做器件，所以它俩的侧重点是不太一样的。
露笑那边的情况，我接触的不多，所以我也不敢枉加评论。
三安我们也听说了，他们也确实在布局衬底，但是我觉得，它和天科合达肯定也差距，这里面更关键的是人，他一定要挖人。其实这些人就集中在那些公司里面，能不能挖得到，比如像天科合达里面去挖，最有效的方案。三安氮化镓都是通过这种方式起来的，在国内的布局比较大。我觉得衬底这端短期内它肯定才刚刚开始布局，所以还有待观察。但是器件这一端肯定已经做了有一些突破了，而且确实有一定的收入了。
天科这边好像没有听说它短期内至少没听说做器件或者做模组，还是应该以衬底为核心。
Q：另外，碳化硅这一块，你觉得它会完全去取代IGBT吗？未来我们如果把时间放得更久一点，在车上面会完全取代IGBT吗？
A：不好说，我觉得不一定。为什么那么说呢？前面讲了，现在贵好几倍，首先它会降价，人家IGBT也会降价，两个都是一个动态的变化过程中。
第二个点是，再怎么变化，所有的市场都有细分领域，未来电力电子里面、车里面，都有中高低端，不可能一个产品是能覆盖所有的市场的，这个理论上是比较难的。
而且刚刚说了，碳化硅短期内还是有很多的技术，尤其衬底端的技术难度是比较难解决的，比较难解决的情况下，你的成本会降，但是你降的趋势有多大？不好说，所以我个人觉得，不管是在新能源车还是在其它的电力行业，比如像光伏或者是高压电子这一块，我觉得应该是不会百分之百取代。中短期看应该是定位在高端，IGBT是在部分高端和中低端，这样的一个分布。
因为这个市场目前明显看是一个大增量市场，尤其是新能源车，未来的增速那么快的情况下，其实这个市场的大规模，其实并不是一个存量竞争，所以两个我觉得都有机会，只是说，可能从增速角度来讲，碳化硅更快，因为它是从0开始往上走，所以它肯定增速非常快，IGBT长期来看有一个比较大的一个市场份额的，因为像手机里面也是一样，中高低端用不同的客户的不同的方案，都有。
而且还有个最大的问题是碳化硅短期内扩产需要一个相对长的过程，这个其实就留了一个比较大的空间给了IGBT，它也会去更新换代，提升性能、降价。
Q：你怎么看碳化硅mos在设计和制造商的难度，现在国内和国外有没有一些专利的风险？我们刚才讲的衬底讲的比较多。碳化硅在设计端和制造端，代工这块。
A：从目前看，首先制造端实话讲，很多东西在工艺上面，在工艺上面其实没有人说所谓的专利这些东西。因为工艺这东西是它相对于传统硅基来讲很多东西是可以共用的，但是要进行改造。因为要适应高温，刻蚀的温度要上去，碳化硅的刻蚀也不好做，你的沉积的温度要上去，离子植入的温度也要上去，因为碳化硅的密度很高。
不管是科瑞、英飞CREE凌、ST、罗姆，这些传统的做功率器件的来，都采用的IDM形式，其实它理论上是没有东西可以流出来的。你要建立这套东西不可能偷人家的东西，人家可能工艺的东西没有专利的，工艺不是最核心的，反而是在这种情况下怎么尽快的积累你的经验和know how。
设计上来讲，碳化硅更多的就是做一个mos管或者做一个二极管，其实这个东西，常规来讲，没有特别，它不是一个特别复杂的一个东西，毕竟只是一个器件，它是一个比较简单的一个电路在里面。
这一块我觉得综合来看，专利这个东西应该不是一个大问题，因为这个东西设计原理上面还是比较简单的。只是怎么去实现它，反而是一个比较难的，这里面有很多的是基于经验在里面的
Q：说回氮化镓这块，主要在射频这块，氮化镓的一些器件，你觉得我们氮化镓的器件有没有出现由军方，军民来合作的方式突破氮化镓的技术瓶颈？
A：其实南京那个五十五所，就中电下面南京五十五所原来就是给军方做的，就是它是中电下面的，应该是国内在氮化镓这块技术积累最好的一个科研单位，但它现在其实也在建一些生产线，要把它进行一个市场化的运作。他们其实算是一个比较好的例子，我了解下来的他们就是一个比较典型的例子。他们量产的比三安还要早。三安突破了技术，生产能力比较强。从生产制造端，他们毕竟原来是一个研究所，科研单位，技术底子好，但是，大规模生产能力以及后面转民用后，更涉及到生产精细化管理这块，看他们怎么去运作了，技术积累55所在国内是最好的，最全面的。
附：历史纪要（详见星球）
来源：调研纪要
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。如转载众多，无法确认真正原始作者，故仅标明转载来源。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，我们将根据您提供的证明材料确认版权并按国家标准立即删除内容！本文内容为原作者观点，并不代表本号赞同其观点和对其真实性负责。
